首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1596947篇
  免费   28218篇
  国内免费   7059篇
电工技术   34749篇
综合类   6641篇
化学工业   266825篇
金属工艺   65736篇
机械仪表   45779篇
建筑科学   47384篇
矿业工程   11713篇
能源动力   50433篇
轻工业   123558篇
水利工程   16266篇
石油天然气   37206篇
武器工业   207篇
无线电   199441篇
一般工业技术   300778篇
冶金工业   217012篇
原子能技术   34391篇
自动化技术   174105篇
  2021年   15510篇
  2020年   12071篇
  2019年   14808篇
  2018年   18269篇
  2017年   17708篇
  2016年   22706篇
  2015年   17742篇
  2014年   28978篇
  2013年   88402篇
  2012年   38494篇
  2011年   53089篇
  2010年   45166篇
  2009年   52761篇
  2008年   48856篇
  2007年   46525篇
  2006年   47181篇
  2005年   42392篇
  2004年   43938篇
  2003年   43659篇
  2002年   42278篇
  2001年   39628篇
  2000年   37691篇
  1999年   37776篇
  1998年   62123篇
  1997年   49190篇
  1996年   39502篇
  1995年   34163篇
  1994年   31387篇
  1993年   31373篇
  1992年   26693篇
  1991年   24007篇
  1990年   24254篇
  1989年   23170篇
  1988年   21754篇
  1987年   20009篇
  1986年   19503篇
  1985年   22764篇
  1984年   22494篇
  1983年   20436篇
  1982年   19356篇
  1981年   19521篇
  1980年   18153篇
  1979年   18574篇
  1978年   17864篇
  1977年   18359篇
  1976年   20593篇
  1975年   16013篇
  1974年   15526篇
  1973年   15635篇
  1972年   13147篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 812 毫秒
21.
Refractories and Industrial Ceramics - The paper introduces a promising technology for utilizing a traditional scheme for implementing a flow-through micro-arc oxidation method to restore localized...  相似文献   
22.
Theoretical Foundations of Chemical Engineering - On the basis of the classic concepts of the theory of solid-phase combustion, for the first time, a model with a detailed scheme of chemical...  相似文献   
23.
24.
Multimedia Tools and Applications - Recently, many concepts in technology has been changed. According to the digital transformation trends, Internet of Things (IoT) represents an interested...  相似文献   
25.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
26.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
27.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
28.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
29.
Forschung im Ingenieurwesen - Das Arbeitsmittel in Wärmepumpen unterliegt einer Vielzahl von Anforderungen, welche für einen effizienten und sicheren Betrieb eingehalten werden...  相似文献   
30.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号